关于本征半导体对于掺有杂质的半导体,其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供,而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的.但是,为什么在杂质全电离情况下,多数载流子浓度基本上
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/06/28 05:59:10
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关于本征半导体对于掺有杂质的半导体,其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供,而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的.但是,为什么在杂质全电离情况下,多数载流子浓度基本上
关于本征半导体
对于掺有杂质的半导体,其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供,而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的.
但是,为什么在杂质全电离情况下,多数载流子浓度基本上与温度无关,但少数载流子则随着温度将指数式增大?热激发产生的多子和少子应该成对出现啊,所以,随着温度升高,新产生的多子也应该指数式增大.这样,即使温度升高,多子也应该始终大于少子,不会出现两种载流子数量相等的本征状态啊.
还有:势垒区中也满足np=ni2啊,为什么说势垒区载流子浓度很小.还有势垒区n=p?
关于本征半导体对于掺有杂质的半导体,其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供,而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的.但是,为什么在杂质全电离情况下,多数载流子浓度基本上
问题一
楼主的问题在于对半导体载流子浓度的数量级没有认识,打个比方:以硅材料为列,硅常温下本证载流子浓度在10个零左右,如果制作BJT基区,参杂一般在17到19个零之间,就已参杂18个零为列,这时候电子浓度为18个零,当温度升高后,加入本证激发提高到了一万倍,这时候空穴浓度就是14个零,比原来增加了一万倍,而电子的浓度变成了18个零加上14个零,变成了原来的1.0001倍.
可见,常温完全电离情况下,多子浓度几乎与温度无关,而少子浓度则对温度很敏感.
问题二
对于第二个问题是因为楼主对NP=ni*ni没有理解,建议楼主亲自推到一下这个公式的来历加深一下理解.
首先这个公式只有对平衡状态下的半导体才会成立,也就是电子和空穴有同一的费米能级,处于电场中的半导体处于非平衡态,没有统一的费米能级,而是引入了准费米能级的概念.