关于pn结为什么在PN结加上正向电压,PN结会变薄.上网找了很久都还是不明白.好像是与电力场有关系的,不过之间的不是中性的PN结吗?这有与电力场有什么关系?还有为什么P半导体不能与N半导体
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/06/30 09:28:55
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关于pn结
为什么在PN结加上正向电压,PN结会变薄.上网找了很久都还是不明白.
好像是与电力场有关系的,不过之间的不是中性的PN结吗?这有与电力场有什么关系?
还有为什么P半导体不能与N半导体完全结合,为什么在中间有个PN结就会终止他们结合,PN结不是中性的吗?为什么会阻碍到他们?
关于pn结为什么在PN结加上正向电压,PN结会变薄.上网找了很久都还是不明白.好像是与电力场有关系的,不过之间的不是中性的PN结吗?这有与电力场有什么关系?还有为什么P半导体不能与N半导体
可以这样来理解,
(1)P型半导体体内空穴浓度大,N型半导体电子浓度大,当P,N型半导体接触时,就会有电子空穴对的复合.P型(掺三族元素),N型材料(掺五族元素)本来是中性的,P型部分区域的空穴被复合后,P区就带带负电;N区的电子被复合后带正电.
(2)接触后的,PN结两侧是带电荷的,只是P区一侧带负电,N区一侧带正电,而且两侧电荷量相等(因为电子空穴成对复合的),所以整体显电中性.带电荷的区域叫空间电荷区,能阻止进一步的复合,
(3)P区带负电,N区带正电后,由电力学知,电力线从正电荷指向负电荷,从而P区负电荷与N区正电荷间就存在电场E,E方向为从N区指向P区.这个很关键,E的存在与方向,阻碍了P区空穴继续向N区运动,N区的电子继续向P区的扩散,也就阻止了进一步的复合.当形成的E达到一定强度(大小)时,对电子空穴的影响会与电子空穴浓度梯度引起的扩散作用达到个平衡,简单地说也就是空间电荷区定下来了,宽度不变了.
(4)电压对空间电荷区宽度的影响你可以简单看成电压与E的关系来理解.
这里回答的很多都简单化了,所以有不严谨的地方,希望见谅.