某硅样品掺有10^17每立方厘米的硼原子,问300K下电子的浓度n0是多少?电阻率呢?某Ge样品掺有3×10^13的Sb原子,根据空间电荷的电中性,计算300K时的电子浓度n0
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/01 08:06:47
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某硅样品掺有10^17每立方厘米的硼原子,问300K下电子的浓度n0是多少?电阻率呢?某Ge样品掺有3×10^13的Sb原子,根据空间电荷的电中性,计算300K时的电子浓度n0
某硅样品掺有10^17每立方厘米的硼原子,问300K下电子的浓度n0是多少?电阻率呢?
某Ge样品掺有3×10^13的Sb原子,根据空间电荷的电中性,计算300K时的电子浓度n0
某硅样品掺有10^17每立方厘米的硼原子,问300K下电子的浓度n0是多少?电阻率呢?某Ge样品掺有3×10^13的Sb原子,根据空间电荷的电中性,计算300K时的电子浓度n0
“某硅样品掺有10^17每立方厘米的硼原子..."说明这是受主掺杂,硅中的主要载流子是空穴(实际是价带上的电子).
在300K下,假设杂质全部电离,则空穴的浓度就是掺杂浓度:10^17每立方厘米.
这时材料的电阻率请你用下式计算一下:电阻率=1/(载流子浓度*电子电荷*空穴迁移率),
其中载流子浓度如上;电子电荷为常数;空穴迁移率=450.
(供参考)
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